微晶体共沉淀的影响因素有哪些

产生共沉淀的原因有表面吸附、形成混晶、吸留和包夹等。
(1)表面吸附引起的共沉淀
在沉淀中，构晶离子是按一定规律排列的，例如在BaS04沉淀中，每一片Ba2+的上、下、左、右、前、后都被SO-所包围；而每一个SO-的上、下、左、右、前、后也都被Ba2+所包围，整个沉淀内部都处于静电平衡状态，但沉淀表面离子电荷的作用力尚未完全平衡，因而在沉淀表面产生一个自由力场，于是溶液中带相反电荷的离子被吸附到沉淀表面上去，形成第一吸附层。
沉淀吸附离子是有选择性的：与沉淀中离子相同或相近而电荷相等的离子，或能与沉淀中的离子生成溶解度较小的物质的离子优先吸附。例如上述的BaS04沉淀。由于溶液中BaCl2过量，沉淀表面的SO-靠静电引力，将强烈吸附溶液中的Ban，形成第一吸附层，使沉淀面带正电荷，然后又吸附溶液中带负电荷的离子，如Cl-，构成电中性的双电层。

(2)生成混晶引起的共沉淀
每个晶形沉淀都具有一定的晶体结构。如果杂质离子的半径与沉淀离子的半径相似，所形成的晶体结构相同，则它们极易在沉淀长大过程中，被优先吸附，然后参加到晶格排列中，形成混晶，常见的同形混晶如BaS04和PbS04；CaCO3和NaNO3；MgNI-14P04和MgNH4 As04等。
混晶的生成与溶液中杂质的性质和浓度、沉淀剂的加入速度等有关。如果沉淀剂加入过快，结晶成长迅速，则易于形成混晶；某些异形混晶，晶格常不完整，沉淀经“陈化”后可以除去。

(3)吸留引起的共沉淀
在沉淀过程中，由于沉淀剂加入过快，导致沉淀迅速长大，吸附在沉淀表面的杂质离子来不及离开沉淀表面就被包夹在沉淀之中，这种现象称为吸留。
为避免吸留现象的发生，
一要注意控制沉淀剂的加人速度；
二要注意操作的规范性，避免向试液中引入过多杂质；
三是通过“陈化"，减轻吸留作用带来的影响。