IGBT(绝缘栅双极晶体管)主要包括一下类型
1、低功率IGBT
2、U-IGBT
3、NPT-IGBT
4、SDB--IGBT
5、超快速IGBT
6、IGBT/FRD
以及封装后的IGBT功率模块
IGBT的静态特性。转移特性——IC与UGE间的关系,与MOSFET转移特性类似。如图2(a)所示。开启电压UGE(th)——IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压UGE(th)随温度升高而略有下降,在+25°C时,UGE(th)的值一般为2—6V。
具体分类肯参见:IGBT(绝缘栅双极晶体管)
http://www.cps800.com/knowledge/673.htm
图可参见:绝缘栅双极晶体管IGBT特性与研发(一)http://www.cps800.com/powerworld/337.htm
在http://www.cps800.com/的技术文摘与电源科普中搜索IGBT,会有很多资料
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