APD雪崩光电二极管的相应速度快，光电增益高，说明APD雪崩光电二极管在收到光辐射的时候产生的光电子在APD雪崩光电二极管内部的渡越时间短，受激产生的光电子多，光电流大，这些特性的产生需要器件内部的载流子浓度大，而在制造工艺中就表现为重参杂。重点可以看看《半导体物理》《半导体器件物理》其中对载流子在半导体器件中的渡越时间的描述
