硅光电池的光照特性

硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN 结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要轮返旅比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。

硅光电池的工作原世仔理是光生伏特效应。当光照射在硅光电池的PN结区时，会在半导体中激发出光生电子一空穴对。PN结两边的光生电子一空穴对，在内电场的作用下，属于多数载流子的不能穿越阻挡层，而少数载流子却能穿越阻挡层。结果，P区的光生电子进入N区，N区的光生空穴进入p区，使每个区中的光生电子一空穴对分割开来。光生电子在N区的集结使N区带负电，光生电子在p区的集结使P区带正电。P区和N区之间产生光生电动势。当硅光电池接人负载腊凳后，光电流从P区经负载流至NE，负载中即得到功率输出。

当光照强度增大到某个特定值时，硅光电池的p-n结产谈稿雀生的光生载流子数达到了最大值，即出现饱和，再增大光照强度，其开路电压不再随含早之增敬谨大