定义：由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应,因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰.
某一物质吸收峰的位置与标准质子吸收峰位置之间的差异称为该物质的化学位移（chemical shift）,常以δ表示。
影响因素
内因：有吸电子基团的向低场移动（因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高）；共轭效应的向低场移动(如苯环上的H向低场移动)；还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间（不是苯环上）的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆。
外因：溶剂，温度（低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰，如DMF的）
重要性：
这是用来推测分子结构的重要参数.不同的官能团在相同的频率下对应的有不同的化学位移数,但是化学位移的差别约为百万分之十,精确测量十分困难,现采用相对数值.以四甲基硅（TMS）为标准物质,规定：它的化学位移为零,然后,根据其它吸收峰与零点的相对距离来确定它们的化学位移值.然后根据谱图便可以推测分子结构了.
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